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MOCVD设备使用概略介绍及商场状况剖析
来源:http://www.hnjt58.com 责任编辑:ag88.com 更新日期:2018-09-11 09:54
MOCVD设备使用概略介绍及商场状况剖析 一、MOCVD设备与运用 德国AIXTRON公司(德国艾思强公司)和美国VEECO公司(美国维易科精密仪器有限公司)两家公司简直出产了全球90%以上的干流MOCVD设备。 1、出产功率和本钱概略 国际上MOCVD技能现已适当老练,干流设备从2

  MOCVD设备使用概略介绍及商场状况剖析

  一、MOCVD设备与运用

  德国AIXTRON公司(德国艾思强公司)和美国VEECO公司(美国维易科精密仪器有限公司)两家公司简直出产了全球90%以上的干流MOCVD设备。

  1、出产功率和本钱概略

  国际上MOCVD技能现已适当老练,干流设备从2003 年6-8 片机、2004 年12 片机、2005 年15片机、2006 年的21-24 片机,现在现已到达42、45、49 片机(一次可装载49片2英寸的衬底成长外延)。

  外延炉容量的不断扩大让LED 外延片出产商的单位出产本钱快速大幅下降。现在,量产企业对单批产能的最低要求是在30片以上。

  国产设备现在为6片机,出产功率和出产本钱距离甚远。

  2、价格及产值概略

  出产型MOCVD设备的价格高达1000~2000万元。依据机型,6片机70万美元左右,9片机100万美元左右,加上相关配套设备设备,一条产线LED出产线需求投入4000 多万元。

  若新收购设备为45 片机出产蓝光芯片,按3 炉/天核算,年产4 .9万片左右,收入4800 万元,投入产出根本为1:1。

  3、出产进程工艺杂乱,参数很多,优良率与均匀性是要害

  外延片成长进程工艺杂乱,参数很多,培育专业操作人员需时刻较长。

  一个最简略的GaN蓝光LED单量子阱结构,其成长工艺包含:高温烘烤、缓冲层、重结晶、n-GaN、阱层、叠层及p-GaN等,工艺过程达几十步,每一步需调整的工艺参数共有20多个,各参数之间存在比较奇妙的联系,工艺编辑人员需依据工艺要求,对各个参数进行逐个调整,必要时还要进行核算,如升温速度、升压速度、成长速率操控、载气与气源配比等。怎么依据工艺需求主动对参数进行检查,减轻工艺人员的工作量,是值得研讨的新式课题。

  每个外延芯片、出产批次与体系之间的联系,能保证杰出的均匀性以及优良率,尤其在芯片厂商扩产时,还能保持相同的优良率与均匀性就显的特别要害。

  4、4英寸MOCVD设备将成为干流

  现阶段台湾外延厂商在技能上现已具有出产4英寸和6英寸的才能,可是出于本钱的考虑,大都台湾厂家还是以2英寸的MOVCD设备为出产主线;大部分欧美与韩国厂商则早已运用4英寸MOVCD设备。

  商场预期一旦4英寸外延片资料本钱大幅崩落(现在4英寸外延片的本钱价格约为2寸外延片的四倍),2英寸的MOCVD设备将逐步被4英寸所替代。

  AIXTRON与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片,在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上,产值添加约30%(相较于传统42x2-inch的架构),不光均匀性较好,也减少了边缘效应(edge effect)。不过就现阶段而言,大大都的困难依然在于6寸的基板价格偏高与外延片切开技能的应战。

 
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