ag88.com,ag娱乐官方网站,环亚ag88,环亚国际娱乐

公司简介

联系人:ag88.com总经理
电话:
传真:
地址:ag娱乐官方网站贸易公司

新闻中心 NEWS

当前位置:主页 > 产业新闻 >
MOCVD技能在光电薄膜方面的使用及其最新进展
来源:http://www.hnjt58.com 责任编辑:ag88.com 更新日期:2018-09-11 09:56
MOCVD技能在光电薄膜方面的使用及其最新进展 一、导言 近年来,跟着半导体工业的开展以及高速光电信息时代的降临,LPE、VPE等技能在半导体业出产中的效果越来越小;MBE与MOCVD技能比较,因为其设备杂乱、价格更贵重,成长速度慢,且不适pC-长含有高蒸汽压元

  MOCVD技能在光电薄膜方面的使用及其最新进展

  一、导言

  近年来,跟着半导体工业的开展以及高速光电信息时代的降临,LPE、VPE等技能在半导体业出产中的效果越来越小;MBE与MOCVD技能比较,因为其设备杂乱、价格更贵重,成长速度慢,且不适pC-长含有高蒸汽压元素(如P)的化合物单晶,IMS Research:韩台LED厂商兴起 未来竞赛加,不适宜工业出产。而金属有机物化学气相淀积(MOCVD),1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人提出制备化台物单晶薄膜的一项新技能;到80年代初得以实用化。通过近20年的飞速开展,成为现在半导体化台物资料制备的关键技能之一。广泛应用于包含半导体器材、光学器材、气敏元件、超导薄膜资料、铁电/铁磁薄膜、高介电资料等多种薄膜资料的制备。

  二、MOCVD的首要技能特色

  国内外所制作的MOCVD设备,大多选用气态源的运送办法,进行薄膜的制备。气态源MOCVD设备,将MO源以气态的办法运送到反响室,运送管道里运送的是气体,对送入反响室的MO源流量也以操控气体流量来进行操控。因而,它对MO源先体提出应具有蒸气压高、热稳定性佳的要求。用气态源MOCVD法堆积一些功用金属氧化物薄膜,要求所选用的金属有机物应在高的蒸气压下具有高的分子稳定性,以防止运送过程中的分化。但是,因为一些功用金属氧化物的组分杂乱,元素难以组成出气态MO源和有较高蒸气压的液态MO源物质,而蒸气压低、热稳定性差的MO源先体,不可能通过鼓泡器(bubbler)由载气气体输运到反响室。

  但是选用液态源运送的办法,是现在国内外研讨的重要方向。选用将液态源送入汽化室得到气态源物质,再通过流量操控送入反响室,或许直接向反响室注入液态先体,在反响室内汽化、堆积。这种办法的长处是简化了源运送办法,对源资料的要求下降,ag8879环亚手机登陆。便于完结多种薄膜的替换堆积以取得超品质结构等。

  三、MOCVD技能的优缺点

  MOCVD技能在薄膜晶体成长中具有共同优势:

  1、能在较低的温度下制备高纯度的薄膜资料,减少了资料的热缺点和本征杂质含量;

  2、能到达原子级精度操控薄膜的厚度;

  3、选用质量流量计易于操控化合物的组分和掺杂量;

  4、通过气源的快速无死区切换,可灵敏改动反响物的品种或份额,到达薄膜成长界面成份骤变。完结界面峻峭;

  5、能大面积、均匀、高重复性地完结薄膜成长。适用于工业化出产;

 
上一篇:MOCVD机台数大增 恐冲击台磊晶供给厂ag娱乐官方网站
下一篇:MOCVD机台下一年将增至1000台 带动LED价格跌落 返回>> 
 
联系人:ag88.com技术总监 公司地址:ag娱乐官方网站贸易公司 电话: 技术支持:
Copyright © 2017 ag88.com,ag娱乐官方网站,环亚ag88,环亚国际娱乐 All Rights Reserved网站地图